根据三星电子10月8日在临时业绩公告中发布了单独的说明材料，并表示“业绩受到中国存储器公司传统产品供应增加的影响”。这是第一次专门提及中国存储器企业的进展。这意味着中国的增长非同寻常。事实上，以CX存储为代表的中国内存企业正在积极投资、招募人才，以实现击败三星电子成为全球第一内存公司的目标。业内人士分析，不仅是产能，技术也在快速进步。

长鑫存储追逐16nm

长鑫存储今年主要生产17nm DRAM，占全部生产产品的53%占领。去年的主要产品是19nm DRAM，占产量的87%。这意味着该技术在短短一年内通过快速工艺变更成功升级。

更令人惊讶的是，明年预计将发生急剧的技术变革。长鑫存储从今年第三季度开始量产第一款“更优质的 DRAM”，预计明年该产品的生产率将提高至33%。

纳米（Nano）在指存储半导体时使用，是指 DRAM 中包含的晶体管的线宽。线宽越小，一颗芯片上可以安装的存储元件就越多。以三星电子为例，其目标是在今年内批量生产 10 纳米级第六代 (1c) DRAM。据了解，第五代DRAM，即上一代，线宽为12纳米，1c DRAM的线宽为11纳米。中国企业与三星电子、SK海力士等韩国企业相比，仍存在三代左右的差距。

这是因为 PC 和移动市场对旧 DRAM 的需求充足。这与中国显示器产业过去从液晶显示器（LCD）产品开始逐渐抢走韩国市场份额的情况类似。中国企业正在瞄准这一需求。一位业内人士表示，“据我了解，由于经营状况恶化和中国企业的遗留目标，三星电子的 DRAM 库存大幅增加。SK 海力士正在用高端 DRAM 追赶三星电子，并且中国公司正在蚕食中低端市场。”

长鑫存储产能增加40%

三星电子在DRAM行业确保了无与伦比的产能。以12英寸计算，每月可投入68万片晶圆,占全球DRAM晶圆投入的37%。

长鑫存储正在挑战三星的据点。2022年产能仅为每月5万张，随着北京第二工厂今年开始运营，预计第四季度产能将迅速增至每月21万片。预计明年数量将增至30万片，增幅约为40%。这相当于第三大 DRAM 生产商美光科技每月 335,000 片的产能水平。

中国产能的进步也体现在NAND产业上。长江存储去年已量产 232 层 NAND 闪存，明年将确保每月投入 135,000 片晶圆的产能。虽然与NAND市场排名第一的三星电子相比还有一定距离，但在竞争比DRAM更激烈的NAND行业中，评价其规模足以发挥影响力。

中国能克服半导体设备吗？

这是因为在半导体制造设备方面占据领先地位的美国正在实施高强度的出口限制，以对中国半导体造成压力。2022年10月，美国商务部对中国出口14纳米以下系统半导体、18纳米以下DRAM、128层以上NAND闪存生产设备实施管制。三星电子和 SK 海力士为 DRAM 制造推出的 ASML 极紫外 (EUV) 曝光设备自 2019 年以来已受到监管。

尽管如此，中国正在通过材料、零部件和设备的快速国际化，用自己的设备填充当地的存储器工厂。